3 月 11 日消息，IBM 美国当地时间昨日宣布与半导体设备制造商泛林 (Lam Research) 就亚 1nm 尖端逻辑制程的开发达成合作，双方为期 5 年的新协议将重点聚焦新材料、先进蚀刻 / 沉积工艺、High NA EUV 光刻的联合开发。
了解到，两家企业将结合 IBM 奥尔巴尼园区的先进研究能力和泛林的端到端工艺工具和创新技术，团队将构建并验证纳米片和纳米堆叠器件以及背面供电的完整工艺流程。这些能力旨在将 High NA EUV 图案可靠地转移到实际器件层中，实现高良率，并支持持续的微缩化、性能提升以及未来逻辑器件的可行量产路径。
IBM 半导体总经理 Mukesh Khare 表示：
十多年来，泛林一直是 IBM 的重要合作伙伴，为逻辑微缩和器件架构方面的关键突破做出了贡献，例如纳米片技术以及 IBM 于 2021 年发布的全球首款 2nm 节点芯片。我们很高兴能够扩大合作，共同应对下一阶段的挑战，以实现高数值孔径极紫外光刻技术和 1nm 以下节点工艺。
泛林首席技术与可持续发展官 Vahid Vahedi 表示：
随着行业进入 3D 微缩的新时代，进步取决于重新思考如何将材料、工艺和光刻技术整合为一个单一的高密度系统。我们很荣幸能够与 IBM 在成功合作的基础上，进一步推动 High NA EUV 干式光刻胶和工艺的突破，加速开发低功耗、高性能晶体管，这对于 AI 时代至关重要。
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